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电子元器件详细资料 » IC[28675] » SI1900DL-T1-E3
型号:SI1900DL-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C590mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C480 毫欧 @ 590mA,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.4nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大270mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
上海熠富电子科技有限公司销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市立锜源电子有限公司李13717008271
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SI1900DL-T1-E3相关型号

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